Name: RJK0330DPB-01#J0
Brand: Renesas Electronics Corporation
SKU: RJK0330DPB-01#J0TR-ND
Price: 15.0798 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

RJK0330DPB-01#J0
Numer produktu DigiKey	RJK0330DPB-01#J0TR-ND - Taśma i szpula (TR) RJK0330DPB-01#J0CT-ND - Taśma cięta (CT)
Producent	Renesas Electronics Corporation
Numer produktu producenta	RJK0330DPB-01#J0
Opis	MOSFET N-CH 30V 45A LFPAK
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 30 V 45A (Ta) 55W (Tc) Montaż powierzchniowy LFPAK
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Renesas Electronics Corporation
Seria	-
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT)
Status części	Ostatnio kupiono
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	30 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	45A (Ta)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	4,5V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	2,7mOhm przy 22,5A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	-
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	27 nC @ 4.5 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	4300 pF @ 10 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	55W (Tc)
Temperatura robocza	150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	LFPAK
Obudowa / skrzynia	SC-100, SOT-669
Bazowy numer produktu	RJK0330