Name: RBE020N04R0SZN6#HB0
Brand: Renesas Electronics Corporation
SKU: 559-RBE020N04R0SZN6#HB0TR-ND
Price: 1.92634 PLN
Availability: OutOfStock

Nowości w DigiKey

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

RBE020N04R0SZN6#HB0
Numer produktu DigiKey	559-RBE020N04R0SZN6#HB0TR-ND - Taśma i szpula (TR)
Producent	Renesas Electronics Corporation
Numer produktu producenta	RBE020N04R0SZN6#HB0
Opis	POWER:POWER MOSFETS
Standardowy czas realizacji przez producenta	12 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 40 V 100A (Tc) 100W (Tc) Montaż powierzchniowy 8-DFN (4,9x5,75)

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Renesas Electronics Corporation
Seria	-
Opakowanie	Taśma i szpula (TR)
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	40 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	100A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	2mOhm przy 50A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	4V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	83 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	4160 pF @ 25 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	100W (Tc)
Temperatura robocza	175°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	8-DFN (4,9x5,75)
Obudowa / skrzynia	8-PowerTDFN

Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów

Zobacz, o co pytają inżynierowie, zadawaj własne pytania lub pomagaj innym członkom społeczności inżynierów DigiKey

Dostępne do zamawiania

Sprawdź czas realizacji

Ten produkt nie znajduje się w magazynie DigiKey. Ukazany czas realizacji dotyczy wysyłki od producenta do firmy DigiKey. Po otrzymaniu produktu, DigiKey dokona wysyłki w celu realizacji otwartych zamówień.

Ilość

Wszystkie ceny podano w PLN

Taśma i szpula (TR)