NP88N03KDG-E1-AY Renesas Electronics Corporation | Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

NP88N03KDG-E1-AY
Numer produktu DigiKey	NP88N03KDG-E1-AYTR-ND - Taśma i szpula (TR)
Producent	Renesas Electronics Corporation
Numer produktu producenta	NP88N03KDG-E1-AY
Opis	MOSFET N-CH 30V 88A TO263
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 30 V 88A (Tc) 1,8W (Ta), 200W (Tc) Montaż powierzchniowy TO-263
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	NP88N03KDG-E1-AY Modele

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Vgs(th) (maks.) przy Id 2,5V przy 250µA
Prod. Renesas Electronics Corporation	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 250 nC @ 10 V
Opakowanie Taśma i szpula (TR)	Vgs (maks.) ±20V
Status części Nieaktualne	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 13500 pF @ 25 V
Typ FET Kanał N	Straty mocy (maks.) 1,8W (Ta), 200W (Tc)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Temperatura robocza 175°C (TJ)
Napięcie dren-źródło (Vdss) 30 V	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 88A (Tc)	Obudowa dostawcy urządzenia TO-263
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 4,5V, 10V	Obudowa / skrzynia TO-263-3, D2PAK (2 odpr. + wypust), TO-263AB
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 2,4mOhm przy 44A, 10V

Zgłoś błąd informacji o produkcie

Dokumenty i media

Klasyfikacje eksportowe i środowiskowe

Dodatkowe zasoby

Przestarzałe

Ten produkt nie jest już produkowany.

NP88N03KDG-E1-AY