Name: NP75P03YDG-E1-AY
Brand: Renesas Electronics Corporation
SKU: 559-NP75P03YDG-E1-AYTR-ND
Price: 15.0552 PLN
Availability: InStock

Kanał P 30 V 75A (Tc) 1W (Ta), 138W (Tc) Montaż powierzchniowy 8-HSON

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

NP75P03YDG-E1-AY
Numer produktu DigiKey	559-NP75P03YDG-E1-AYTR-ND - Taśma i szpula (TR) 559-NP75P03YDG-E1-AYCT-ND - Taśma cięta (CT) 559-NP75P03YDG-E1-AYDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Renesas Electronics Corporation
Numer produktu producenta	NP75P03YDG-E1-AY
Opis	MOSFET P-CH 30V 75A 8HSON
Standardowy czas realizacji przez producenta	12 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał P 30 V 75A (Tc) 1W (Ta), 138W (Tc) Montaż powierzchniowy 8-HSON
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	NP75P03YDG-E1-AY Modele

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 141 nC @ 10 V
Prod. Renesas Electronics Corporation	Vgs (maks.) ±20V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 4800 pF @ 25 V
Status części Aktywny	Straty mocy (maks.) 1W (Ta), 138W (Tc)
Typ FET Kanał P	Temperatura robocza 175°C (TJ)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Klasa Motoryzacja
Napięcie dren-źródło (Vdss) 30 V	Kwalifikacja AEC-Q101
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 75A (Tc)	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 5V, 10V	Obudowa dostawcy urządzenia 8-HSON
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 6,2mOhm przy 37,5A, 10V	Obudowa / skrzynia 8-SMD, płaskie odprowadzenie, podkładka odsłonięta
Vgs(th) (maks.) przy Id 2,5V przy 250µA	Bazowy numer produktu NP75P03