2SK1317-E Renesas Electronics Corporation | Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze

2SK1317-E jest przestarzałe i nie jest już produkowane.

Dostępne zamienniki:

Similar

onsemi

W magazynie: 0

Cena jednostkowa : 21,72000 zł

Similar

onsemi

W magazynie: 56

Cena jednostkowa : 17,16000 zł

Similar

IXYS

W magazynie: 0

Cena jednostkowa : 26,11000 zł

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

2SK1317-E
Numer produktu DigiKey	2SK1317-E-ND
Producent	Renesas Electronics Corporation
Numer produktu producenta	2SK1317-E
Opis	MOSFET N-CH 1500V 2.5A TO3P
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 1500 V 2,5A (Ta) 100W (Tc) Otwór przelotowy TO-3P
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	2SK1317-E Modele

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 12Ohm przy 2A, 15V
Prod. Renesas Electronics Corporation	Vgs (maks.) ±20V
Opakowanie Rurka	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 990 pF @ 10 V
Status części Nieaktualne	Straty mocy (maks.) 100W (Tc)
Typ FET Kanał N	Temperatura robocza 150°C (TJ)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Typ mocowania Otwór przelotowy
Napięcie dren-źródło (Vdss) 1500 V	Obudowa dostawcy urządzenia TO-3P
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 2,5A (Ta)	Obudowa / skrzynia TO-3P-3, SC-65-3
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 15V	Bazowy numer produktu 2SK1317