P3M06060G7 PN Junction Semiconductor | Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze

P3M06060G7
Numer produktu DigiKey	4237-P3M06060G7TR-ND - Taśma i szpula (TR)
Producent	PN Junction Semiconductor
Numer produktu producenta	P3M06060G7
Opis	SICFET N-CH 650V 44A TO-263-7
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 650 V 44A 159W Montaż powierzchniowy D2PAK-7
Arkusz danych	Arkusz danych

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	PN Junction Semiconductor
Seria	P3M
Opakowanie	Taśma i szpula (TR)
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	SiCFET (węglik krzemu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	650 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	44A
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	15V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	79mOhm przy 20A, 15V
Vgs(th) (maks.) przy Id	2,2V przy 20mA (typ.)
Vgs (maks.)	+20V, -8V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	159W
Temperatura robocza	-55°C - 175°C (TJ)
Klasa	Motoryzacja
Kwalifikacja	AEC-Q101
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	D2PAK-7
Obudowa / skrzynia	TO-263-8, D2PAK (7 odpr. + wypust), TO-263CA

P3M06060G7