Kanał N 250 V 53A (Tc) 250W (Tc) Otwór przelotowy TO-220AB
Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

SQP10250E_GE3

Numer produktu DigiKey
SQP10250E_GE3-ND
Producent
Vishay Siliconix
Numer produktu producenta
SQP10250E_GE3
Opis
MOSFET N-CH 250V 53A TO220AB
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis
Kanał N 250 V 53A (Tc) 250W (Tc) Otwór przelotowy TO-220AB
Arkusz danych
 Arkusz danych
Atrybuty produktu
Typ
Opis
Wybierz wszystko
Kategoria
Prod.
Vishay Siliconix
Seria
TrenchFET®
Opakowanie
Rurka
Status części
Nieaktualne
Typ FET
Kanał N
Technologia
MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
250 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C
53A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)
7,5V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs
30mOhm przy 15A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id
3,5V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs
75 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds
4050 pF @ 25 V
Charakterystyka FET
-
Straty mocy (maks.)
250W (Tc)
Temperatura robocza
-55°C - 175°C (TJ)
Klasa
Motoryzacja
Kwalifikacja
AEC-Q101
Typ mocowania
Otwór przelotowy
Obudowa dostawcy urządzenia
TO-220AB
Obudowa / skrzynia
TO-220-3
Bazowy numer produktu
SQP10250
Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów

Zobacz, o co pytają inżynierowie, zadawaj własne pytania lub pomagaj innym członkom społeczności inżynierów DigiKey

Przestarzałe
Ten produkt nie jest już produkowany.