PJW5N10A_R2_00001 Panjit International Inc. | Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

PJW5N10A_R2_00001
Numer produktu DigiKey	3757-PJW5N10A_R2_00001TR-ND - Taśma i szpula (TR) 3757-PJW5N10A_R2_00001CT-ND - Taśma cięta (CT) 3757-PJW5N10A_R2_00001DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Panjit International Inc.
Numer produktu producenta	PJW5N10A_R2_00001
Opis	100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 100 V 3,5A (Ta), 5A (Tc) 3,1W (Ta), 5,2W (Tc) Montaż powierzchniowy SOT-223
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Vgs(th) (maks.) przy Id 2,5V przy 250µA
Prod. Panjit International Inc.	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 20 nC @ 10 V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Vgs (maks.) ±20V
Status części Nieaktualne	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 1413 pF @ 25 V
Typ FET Kanał N	Straty mocy (maks.) 3,1W (Ta), 5,2W (Tc)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Temperatura robocza -55°C - 150°C (TJ)
Napięcie dren-źródło (Vdss) 100 V	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 3,5A (Ta), 5A (Tc)	Obudowa dostawcy urządzenia SOT-223
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 4,5V, 10V	Obudowa / skrzynia TO-261-4, TO-261AA
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 115mOhm przy 4A, 10V	Bazowy numer produktu PJW5N10

Zgłoś błąd informacji o produkcie

Dokumenty i media

Klasyfikacje eksportowe i środowiskowe

Dodatkowe zasoby

W magazynie: 2 170

Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu

Ten produkt nie jest już produkowany, a jego zapasy nie będą uzupełniane po wyczerpaniu.

Ilość

Wszystkie ceny podano w PLN

Taśma cięta (CT)

Cena jednostkowa bez VAT:	2,80000 zł
Cena jednostkowa z VAT:	3,44400 zł

PJW5N10A_R2_00001