NXH50C120L2C2ESG onsemi | Półprzewodniki dyskretne

NXH50C120L2C2ESG jest przestarzałe i nie jest już produkowane.

Dostępne zamienniki:

Odpowiednik parametryczny

Rochester Electronics, LLC

W magazynie: 18

Cena jednostkowa : 414,09333 zł

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

NXH50C120L2C2ESG
Numer produktu DigiKey	488-NXH50C120L2C2ESG-ND
Producent	onsemi
Numer produktu producenta	NXH50C120L2C2ESG
Opis	IGBT MOD 1200V 50A 20MW 26-DIP
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	IGBT Moduł Falownik trójfazowy z hamulcem 1200 V 50 A 20 mW Otwór przelotowy 26-DIP

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory IGBT Moduły IGBT
Producent	onsemi
Seria	-
Opakowanie	Rurka
Status części	Nieaktualne
Typ IGBT	-
Konfiguracja	Falownik trójfazowy z hamulcem
Napięcie - przebicia kolektor-emiter (maks.)	1200 V
Prąd - kolektora (Ic) (maks.)	50 A
Moc - maks.	20 mW
Vce (wł.) (maks.) przy Vge, Ic	2,4V przy 15V, 50A
Prąd - graniczny kolektora (maks.)	250 µA
Pojemność wejściowa (Cies) przy Vce	11.897 nF @ 20 V
Wejście	Trójfazowy mostek prostownikowy
Termistor NTC	Tak
Temperatura robocza	-40°C - 150°C (TJ)
Typ mocowania	Otwór przelotowy
Obudowa / skrzynia	Moduł 26-PowerDIP (1,199", 47,20mm)
Obudowa dostawcy urządzenia	26-DIP
Bazowy numer produktu	NXH50