Name: NVMYS8D0N04CTWG
Brand: onsemi
SKU: NVMYS8D0N04CTWGOSTR-ND
Price: 6.7035 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

NVMYS8D0N04CTWG
Numer produktu DigiKey	NVMYS8D0N04CTWGOSTR-ND - Taśma i szpula (TR) NVMYS8D0N04CTWGOSCT-ND - Taśma cięta (CT) NVMYS8D0N04CTWGOSDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	onsemi
Numer produktu producenta	NVMYS8D0N04CTWG
Opis	MOSFET N-CH 40V 16A/49A 4LFPAK
Standardowy czas realizacji przez producenta	20 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 40 V 16A (Ta), 49A (Tc) 3.8W (Ta), 38W (Tc) Montaż powierzchniowy LFPAK4 (5x6)
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	onsemi
Seria	-
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	40 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	16A (Ta), 49A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	8,1mOhm przy 15A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	3,5V przy 30µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	10 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	625 pF @ 25 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	3.8W (Ta), 38W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 175°C (TJ)
Klasa	Motoryzacja
Kwalifikacja	AEC-Q101
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	LFPAK4 (5x6)
Obudowa / skrzynia	SOT-1023, 4-LFPAK
Bazowy numer produktu	NVMYS8