Name: NVMYS2D1N04CLTWG
Brand: onsemi
SKU: 488-NVMYS2D1N04CLTWGTR-ND
Price: 9.4587 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

NVMYS2D1N04CLTWG
Numer produktu DigiKey	488-NVMYS2D1N04CLTWGTR-ND - Taśma i szpula (TR) 488-NVMYS2D1N04CLTWGCT-ND - Taśma cięta (CT) 488-NVMYS2D1N04CLTWGDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	onsemi
Numer produktu producenta	NVMYS2D1N04CLTWG
Opis	MOSFET N-CH 40V 29A/132A LFPAK4
Standardowy czas realizacji przez producenta	22 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 40 V 29A (Ta), 132A (Tc) 3,9W (Ta), 83W (Tc) Montaż powierzchniowy LFPAK4 (5x6)
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	onsemi
Seria	-
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	40 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	29A (Ta), 132A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	4,5V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	2,5mOhm przy 50A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	2V przy 90µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	50 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	3100 pF @ 25 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	3,9W (Ta), 83W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 175°C (TJ)
Klasa	Motoryzacja
Kwalifikacja	AEC-Q101
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	LFPAK4 (5x6)
Obudowa / skrzynia	SOT-1023, 4-LFPAK
Bazowy numer produktu	NVMYS2