Name: NVMYS010N04CLTWG
Brand: onsemi
SKU: NVMYS010N04CLTWGOSTR-ND
Price: 6.1623 PLN
Availability: OutOfStock

NVMYS010N04CLTWG nie jest dostępne w magazynie, jednak można złożyć zamówienie niezrealizowane.

Dostępne zamienniki:

Odpowiednik parametryczny

onsemi

W magazynie: 0

Cena jednostkowa : 9,33000 zł

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

NVMYS010N04CLTWG
Numer produktu DigiKey	NVMYS010N04CLTWGOSTR-ND - Taśma i szpula (TR) NVMYS010N04CLTWGOSCT-ND - Taśma cięta (CT) NVMYS010N04CLTWGOSDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	onsemi
Numer produktu producenta	NVMYS010N04CLTWG
Opis	MOSFET N-CH 40V 14A/38A 4LFPAK
Standardowy czas realizacji przez producenta	22 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 40 V 14A (Ta), 38A (Tc) 3.8W (Ta), 28W (Tc) Montaż powierzchniowy LFPAK4 (5x6)
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	onsemi
Seria	-
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	40 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	14A (Ta), 38A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	4,5V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	10,3mOhm przy 20A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	2V przy 20µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	7.3 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	570 pF @ 25 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	3.8W (Ta), 28W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 175°C (TJ)
Klasa	Motoryzacja
Kwalifikacja	AEC-Q101
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	LFPAK4 (5x6)
Obudowa / skrzynia	SOT-1023, 4-LFPAK
Bazowy numer produktu	NVMYS010