Name: NVMYS005N10MCLTWG
Brand: onsemi
SKU: 488-NVMYS005N10MCLTWGTR-ND
Price: 9.9999 PLN
Availability: OutOfStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

NVMYS005N10MCLTWG
Numer produktu DigiKey	488-NVMYS005N10MCLTWGTR-ND - Taśma i szpula (TR) 488-NVMYS005N10MCLTWGCT-ND - Taśma cięta (CT) 488-NVMYS005N10MCLTWGDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	onsemi
Numer produktu producenta	NVMYS005N10MCLTWG
Opis	PTNG 100V LL LFPAK4
Standardowy czas realizacji przez producenta	22 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 100 V 18,4A (Ta), 108A (Tc) 3,8W (Ta), 131W (Tc) Montaż powierzchniowy LFPAK4 (5x6)
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	onsemi
Seria	-
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	100 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	18,4A (Ta), 108A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	4,5V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	5,1mOhm przy 34A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	3V przy 192µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	55 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	4100 pF @ 50 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	3,8W (Ta), 131W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 175°C (TJ)
Klasa	Motoryzacja
Kwalifikacja	AEC-Q101
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	LFPAK4 (5x6)
Obudowa / skrzynia	SOT-1023, 4-LFPAK
Bazowy numer produktu	NVMYS005

Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów

Zobacz, o co pytają inżynierowie, zadawaj własne pytania lub pomagaj innym członkom społeczności inżynierów DigiKey

0 w magazynie

Sprawdź czas realizacji

Zażądaj powiadomienia o stanie magazynowym

Ilość

Wszystkie ceny podano w PLN

Taśma cięta (CT) & Digi-Reel®