Name: NVMJST0D9N04CTXG
Brand: onsemi
SKU: 488-NVMJST0D9N04CTXGTR-ND
Price: 14.8953 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

NVMJST0D9N04CTXG
Numer produktu DigiKey	488-NVMJST0D9N04CTXGTR-ND - Taśma i szpula (TR) 488-NVMJST0D9N04CTXGCT-ND - Taśma cięta (CT) 488-NVMJST0D9N04CTXGDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	onsemi
Numer produktu producenta	NVMJST0D9N04CTXG
Opis	TRENCH 6 40V LFPAK 5X7
Standardowy czas realizacji przez producenta	15 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 40 V 531A (Tc) 555W (Tc) Montaż powierzchniowy 10-TCPAK
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	NVMJST0D9N04CTXG Modele

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	onsemi
Seria	-
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	40 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	531A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	1,07mOhm przy 50A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	3,5V przy 190µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	86 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	6100 pF @ 25 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	555W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 175°C (TJ)
Klasa	Motoryzacja
Kwalifikacja	AEC-Q101
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	10-TCPAK
Obudowa / skrzynia	10-PowerLSOP (szerokość 0,209", 5,30mm)
Bazowy numer produktu	NVMJST0D9

Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów

Zobacz, o co pytają inżynierowie, zadawaj własne pytania lub pomagaj innym członkom społeczności inżynierów DigiKey

W magazynie: 3 587

Zapas fabryczny: 156 000

Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu

Ilość

Wszystkie ceny podano w PLN

Taśma cięta (CT) & Digi-Reel®