Name: NVMFWS2D1N08XT1G
Brand: onsemi
SKU: 488-NVMFWS2D1N08XT1GTR-ND
Price: 16.1253 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

NVMFWS2D1N08XT1G
Numer produktu DigiKey	488-NVMFWS2D1N08XT1GTR-ND - Taśma i szpula (TR) 488-NVMFWS2D1N08XT1GCT-ND - Taśma cięta (CT) 488-NVMFWS2D1N08XT1GDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	onsemi
Numer produktu producenta	NVMFWS2D1N08XT1G
Opis	T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL PRE
Standardowy czas realizacji przez producenta	27 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 80 V 181A (Tc) 148W (Tc) Montaż powierzchniowy, bok zwilżany 5-DFNW (4,9x5,9) (8-SOFL-WF)
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 53 nC @ 6 V
Prod. onsemi	Vgs (maks.) ±20V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 3800 pF @ 40 V
Status części Aktywny	Straty mocy (maks.) 148W (Tc)
Typ FET Kanał N	Temperatura robocza -55°C - 175°C (TJ)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Klasa Motoryzacja
Napięcie dren-źródło (Vdss) 80 V	Kwalifikacja AEC-Q101
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 181A (Tc)	Typ mocowania Montaż powierzchniowy, bok zwilżany
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 10V	Obudowa dostawcy urządzenia 5-DFNW (4,9x5,9) (8-SOFL-WF)
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 2,1mOhm przy 43A, 10V	Obudowa / skrzynia 8-PowerTDFN, 5 przewodów
Vgs(th) (maks.) przy Id 3,6V przy 213µA	Bazowy numer produktu NVMFWS