Name: NVMFS6H852NLWFT1G
Brand: onsemi
SKU: 488-NVMFS6H852NLWFT1GTR-ND
Price: 6.6174 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

NVMFS6H852NLWFT1G
Numer produktu DigiKey	488-NVMFS6H852NLWFT1GTR-ND - Taśma i szpula (TR) 488-NVMFS6H852NLWFT1GCT-ND - Taśma cięta (CT) 488-NVMFS6H852NLWFT1GDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	onsemi
Numer produktu producenta	NVMFS6H852NLWFT1G
Opis	MOSFET N-CH 80V 11A/42A 5DFN
Standardowy czas realizacji przez producenta	19 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 80 V 11A (Ta), 42A (Tc) 3,6W (Ta), 54W (Tc) Montaż powierzchniowy, bok zwilżany 5-DFNW (4,9x5,9) (8-SOFL-WF)
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	onsemi
Seria	-
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	80 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	11A (Ta), 42A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	4,5V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	13,1mOhm przy 10A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	2V przy 45µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	17 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	906 pF @ 40 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	3,6W (Ta), 54W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 175°C (TJ)
Klasa	Motoryzacja
Kwalifikacja	AEC-Q101
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy, bok zwilżany
Obudowa dostawcy urządzenia	5-DFNW (4,9x5,9) (8-SOFL-WF)
Obudowa / skrzynia	8-PowerTDFN, 5 przewodów
Bazowy numer produktu	NVMFS6