Name: NVMFS5C638NLT1G
Brand: onsemi
SKU: NVMFS5C638NLT1GOSTR-ND
Price: 14.0958 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

NVMFS5C638NLT1G
Numer produktu DigiKey	NVMFS5C638NLT1GOSTR-ND - Taśma i szpula (TR) NVMFS5C638NLT1GOSCT-ND - Taśma cięta (CT) NVMFS5C638NLT1GOSDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	onsemi
Numer produktu producenta	NVMFS5C638NLT1G
Opis	MOSFET N-CH 60V 26A/133A 5DFN
Standardowy czas realizacji przez producenta	19 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 60 V 26A (Ta), 133A (Tc) 4W (Ta), 100W (Tc) Montaż powierzchniowy 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	NVMFS5C638NLT1G Modele

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	onsemi
Seria	-
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	60 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	26A (Ta), 133A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	4,5V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	3mOhm przy 50A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	2V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	40.7 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	2880 pF @ 25 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	4W (Ta), 100W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 175°C (TJ)
Klasa	Motoryzacja
Kwalifikacja	AEC-Q101
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Obudowa / skrzynia	8-PowerTDFN, 5 przewodów
Bazowy numer produktu	NVMFS5