NVMFS5830NLWFT1G onsemi | Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze

NVMFS5830NLWFT1G
Numer produktu DigiKey	NVMFS5830NLWFT1G-ND - Taśma i szpula (TR)
Producent	onsemi
Numer produktu producenta	NVMFS5830NLWFT1G
Opis	MOSFET N-CH 40V 29A 5DFN
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 40 V 29A (Ta) 3,8W (Ta), 158W (Tc) Montaż powierzchniowy 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	NVMFS5830NLWFT1G Modele

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	onsemi
Seria	-
Opakowanie	Taśma i szpula (TR)
Status części	Nieaktualne
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	40 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	29A (Ta)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	4,5V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	2,3mOhm przy 20A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	2,4V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	113 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	5880 pF @ 25 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	3,8W (Ta), 158W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 175°C (TJ)
Klasa	Motoryzacja
Kwalifikacja	AEC-Q101
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Obudowa / skrzynia	8-PowerTDFN, 5 przewodów
Bazowy numer produktu	NVMFS5

NVMFS5830NLWFT1G