Name: NVBLS1D5N10MCTXG
Brand: onsemi
SKU: 488-NVBLS1D5N10MCTXGTR-ND
Price: 34.5261 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

NVBLS1D5N10MCTXG
Numer produktu DigiKey	488-NVBLS1D5N10MCTXGTR-ND - Taśma i szpula (TR) 488-NVBLS1D5N10MCTXGCT-ND - Taśma cięta (CT) 488-NVBLS1D5N10MCTXGDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	onsemi
Numer produktu producenta	NVBLS1D5N10MCTXG
Opis	PTNG 100V STD TOLL
Standardowy czas realizacji przez producenta	17 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 100 V 35,5A (Ta), 300A (Tc) 4,5W (Ta), 331W (Tc) Montaż powierzchniowy 8-HPSOF
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	onsemi
Seria	-
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	100 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	35,5A (Ta), 300A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	1,5mOhm przy 80A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	4V przy 799µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	131 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	10100 pF @ 50 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	4,5W (Ta), 331W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 175°C (TJ)
Klasa	Motoryzacja
Kwalifikacja	AEC-Q101
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	8-HPSOF
Obudowa / skrzynia	8-PowerSFN