Name: NVBG020N120SC1
Brand: onsemi
SKU: 5556-NVBG020N120SC1TR-ND
Price: 219.8256 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

NVBG020N120SC1
Numer produktu DigiKey	5556-NVBG020N120SC1TR-ND - Taśma i szpula (TR) 5556-NVBG020N120SC1CT-ND - Taśma cięta (CT) 5556-NVBG020N120SC1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	onsemi
Numer produktu producenta	NVBG020N120SC1
Opis	MOSFET N-CH 1200V 8.6A/98A D2PAK
Standardowy czas realizacji przez producenta	14 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 1200 V 8,6A (Ta), 98A (Tc) 3,7W (Ta), 468W (Tc) Montaż powierzchniowy D2PAK-7
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	NVBG020N120SC1 Modele

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	onsemi
Seria	-
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	SiCFET (węglik krzemu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	1200 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	8,6A (Ta), 98A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	20V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	28mOhm przy 60A, 20V
Vgs(th) (maks.) przy Id	4,3V przy 20mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	220 nC @ 20 V
Vgs (maks.)	+25V, -15V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	2943 pF @ 800 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	3,7W (Ta), 468W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 175°C (TJ)
Klasa	Motoryzacja
Kwalifikacja	AEC-Q101
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	D2PAK-7
Obudowa / skrzynia	TO-263-8, D2PAK (7 odpr. + wypust), TO-263CA
Bazowy numer produktu	NVBG020