Name: NTTFS2D1N04HLTWG
Brand: onsemi
SKU: 488-NTTFS2D1N04HLTWGTR-ND
Price: 9.4095 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

NTTFS2D1N04HLTWG
Numer produktu DigiKey	488-NTTFS2D1N04HLTWGTR-ND - Taśma i szpula (TR) 488-NTTFS2D1N04HLTWGCT-ND - Taśma cięta (CT) 488-NTTFS2D1N04HLTWGDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	onsemi
Numer produktu producenta	NTTFS2D1N04HLTWG
Opis	MOSFET N-CH 40V 24A/150A 8PQFN
Standardowy czas realizacji przez producenta	43 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 40 V 24A (Ta), 150A (Tc) 2,2W (Ta), 83W (Tc) Montaż powierzchniowy 8-PQFN (3,3x3,3)
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Vgs(th) (maks.) przy Id 2V przy 120µA
Prod. onsemi	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 43.6 nC @ 10 V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Vgs (maks.) ±20V
Status części Aktywny	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 2745 pF @ 20 V
Typ FET Kanał N	Straty mocy (maks.) 2,2W (Ta), 83W (Tc)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Temperatura robocza -55°C - 150°C (TJ)
Napięcie dren-źródło (Vdss) 40 V	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 24A (Ta), 150A (Tc)	Obudowa dostawcy urządzenia 8-PQFN (3,3x3,3)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 4,5V, 10V	Obudowa / skrzynia 8-PowerWDFN
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 2,1mOhm przy 23A, 10V	Bazowy numer produktu NTTFS2