Name: NTMYS025N06CLTWG
Brand: onsemi
SKU: NTMYS025N06CLTWGOSTR-ND
Price: 8.0073 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

NTMYS025N06CLTWG
Numer produktu DigiKey	NTMYS025N06CLTWGOSTR-ND - Taśma i szpula (TR) NTMYS025N06CLTWGOSCT-ND - Taśma cięta (CT) NTMYS025N06CLTWGOSDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	onsemi
Numer produktu producenta	NTMYS025N06CLTWG
Opis	MOSFET N-CH 60V 8.5A/21A 4LFPAK
Standardowy czas realizacji przez producenta	32 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 60 V 8.5A (Ta), 21A (Tc) 3.8W (Ta), 24W (Tc) Montaż powierzchniowy LFPAK4 (5x6)
cms-datasheet	cms-datasheet

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	onsemi
Seria	-
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	60 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	8.5A (Ta), 21A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	4,5V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	27,5mOhm przy 7,5A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	2V przy 13µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	5.8 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	330 pF @ 25 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	3.8W (Ta), 24W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 175°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	LFPAK4 (5x6)
Obudowa / skrzynia	SOT-1023, 4-LFPAK
Bazowy numer produktu	NTMYS025