Name: NTMTSC002N10MCTXG
Brand: onsemi
SKU: 488-NTMTSC002N10MCTXGTR-ND
Price: 29.6676 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

NTMTSC002N10MCTXG
Numer produktu DigiKey	488-NTMTSC002N10MCTXGTR-ND - Taśma i szpula (TR) 488-NTMTSC002N10MCTXGCT-ND - Taśma cięta (CT) 488-NTMTSC002N10MCTXGDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	onsemi
Numer produktu producenta	NTMTSC002N10MCTXG
Opis	MOSFET N-CH 100V 45A/236A 8TDFNW
Standardowy czas realizacji przez producenta	21 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 100 V 45A (Ta), 236A (Tc) 9W (Ta), 255W (Tc) Montaż powierzchniowy, bok zwilżany 8-TDFNW (8,3x8,4)
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	onsemi
Seria	-
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	100 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	45A (Ta), 236A (Tc)
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	2mOhm przy 90A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	4V przy 520µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	89 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	6305 pF @ 50 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	9W (Ta), 255W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 175°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy, bok zwilżany
Obudowa dostawcy urządzenia	8-TDFNW (8,3x8,4)
Obudowa / skrzynia	8-PowerTDFN
Bazowy numer produktu	NTMTSC002