Name: NTMTS001N06CTXG
Brand: onsemi
SKU: NTMTS001N06CTXGOSTR-ND
Price: 18.4623 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

NTMTS001N06CTXG
Numer produktu DigiKey	NTMTS001N06CTXGOSTR-ND - Taśma i szpula (TR) NTMTS001N06CTXGOSCT-ND - Taśma cięta (CT) NTMTS001N06CTXGOSDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	onsemi
Numer produktu producenta	NTMTS001N06CTXG
Opis	MOSFET N-CH 60V 53.7A/376A 8DFNW
Standardowy czas realizacji przez producenta	24 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 60 V 53,7A (Ta), 376A (Tc) 5W (Ta), 244W (Tc) Montaż powierzchniowy 8-DFNW (8,3x8,4)
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	onsemi
Seria	-
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	60 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	53,7A (Ta), 376A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	0,91mOhm przy 50A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	4V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	113 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	8705 pF @ 30 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	5W (Ta), 244W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 175°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	8-DFNW (8,3x8,4)
Obudowa / skrzynia	8-PowerTDFN
Bazowy numer produktu	NTMTS001