Kanał N 30 V 7,8A (Ta) 890mW (Ta) Montaż powierzchniowy 8-SOIC
Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

NTMS4916NR2G

Numer produktu DigiKey
NTMS4916NR2GOSTR-ND - Taśma i szpula (TR)
NTMS4916NR2GOSCT-ND - Taśma cięta (CT)
Producent
onsemi
Numer produktu producenta
NTMS4916NR2G
Opis
MOSFET N-CH 30V 7.8A 8SOIC
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis
Kanał N 30 V 7,8A (Ta) 890mW (Ta) Montaż powierzchniowy 8-SOIC
Arkusz danych
 Arkusz danych
Modele EDA/CAD
NTMS4916NR2G Modele
Atrybuty produktu
Typ
Opis
Wybierz wszystko
Kategoria
Prod.
onsemi
Seria
-
Opakowanie
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Status części
Nieaktualne
Typ FET
Kanał N
Technologia
MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
30 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C
7,8A (Ta)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)
4,5V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs
9mOhm przy 12A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id
2,5V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs
15 nC @ 4.5 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds
1376 pF @ 25 V
Charakterystyka FET
-
Straty mocy (maks.)
890mW (Ta)
Temperatura robocza
-55°C - 155°C (TJ)
Klasa
-
Kwalifikacja
-
Typ mocowania
Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia
8-SOIC
Obudowa / skrzynia
8-SOIC (szerokość 0,154", 3,90mm)
Bazowy numer produktu
NTMS4916
Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów

Zobacz, o co pytają inżynierowie, zadawaj własne pytania lub pomagaj innym członkom społeczności inżynierów DigiKey

W magazynie: 2 074
Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu
Ten produkt nie jest już produkowany, a jego zapasy nie będą uzupełniane po wyczerpaniu. Wyświetl Zamienniki.
Ilość
Wszystkie ceny podano w PLN
Taśma cięta (CT)
Ilość Cena jednostkowa Wartość
14,88000 zł4,88 zł
103,08100 zł30,81 zł
1002,04150 zł204,15 zł
5001,59458 zł797,29 zł
1 0001,45078 zł1 450,78 zł
Cena jednostkowa bez VAT:4,88000 zł
Cena jednostkowa z VAT:6,00240 zł