Kanał N 30 V 10A 860mW (Ta) Montaż powierzchniowy 8-SOIC
Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

NTMS4704NR2

Numer produktu DigiKey
488-NTMS4704NR2-ND
Producent
onsemi
Numer produktu producenta
NTMS4704NR2
Opis
POWER MOSFET 30 V, 12.3 A, SINGL
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis
Kanał N 30 V 10A 860mW (Ta) Montaż powierzchniowy 8-SOIC
Arkusz danych
 Arkusz danych
Atrybuty produktu
Typ
Opis
Wybierz wszystko
Kategoria
Prod.
onsemi
Seria
-
Opakowanie
Zbiorcze
Status części
Produkt wycofany z oferty DigiKey
Typ FET
Kanał N
Technologia
MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
30 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C
10A
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)
4,5V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs
9,5mOhm przy 12,3A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id
2,5V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs
17 nC @ 4.5 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds
1225 pF @ 20 V
Charakterystyka FET
-
Straty mocy (maks.)
860mW (Ta)
Temperatura robocza
-55°C - 150°C (TJ)
Klasa
-
Kwalifikacja
-
Typ mocowania
Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia
8-SOIC
Obudowa / skrzynia
8-SOIC (szerokość 0,154", 3,90mm)
Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów

Zobacz, o co pytają inżynierowie, zadawaj własne pytania lub pomagaj innym członkom społeczności inżynierów DigiKey

0 w magazynie
Ze względu na chwilowe ograniczenia w zaopatrzeniu, nie możemy obecnie akceptować niezrealizowanych pozycji zamówienia, jak również niedostępny jest w tej chwili czas realizacji.