Name: NTMFS4C025NT1G
Brand: onsemi
SKU: NTMFS4C025NT1GOSTR-ND
Price: 3.1488 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

NTMFS4C025NT1G
Numer produktu DigiKey	NTMFS4C025NT1GOSTR-ND - Taśma i szpula (TR) NTMFS4C025NT1GOSCT-ND - Taśma cięta (CT) NTMFS4C025NT1GOSDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	onsemi
Numer produktu producenta	NTMFS4C025NT1G
Opis	MOSFET N-CH 30V 20A/69A 5DFN
Standardowy czas realizacji przez producenta	35 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 30 V 20A (Ta), 69A (Tc) 2,55W (Ta), 30,5W (Tc) Montaż powierzchniowy 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	onsemi
Seria	-
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	30 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	20A (Ta), 69A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	4,5V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	3,41mOhm przy 30A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	2,1V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	26 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	1683 pF @ 15 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	2,55W (Ta), 30,5W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Obudowa / skrzynia	8-PowerTDFN, 5 przewodów
Bazowy numer produktu	NTMFS4

Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów

Zobacz, o co pytają inżynierowie, zadawaj własne pytania lub pomagaj innym członkom społeczności inżynierów DigiKey

W magazynie: 1 770

Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu

Ilość

Wszystkie ceny podano w PLN

Taśma cięta (CT) & Digi-Reel®

* Do wszystkich zamówień Digi-Reel dodawana jest opłata 27,00 zł za przygotowanie szpuli.

Taśma i szpula (TR)