Name: NTMFS0D7N03CGT1G
Brand: onsemi
SKU: 488-NTMFS0D7N03CGT1GTR-ND
Price: 12.7797 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

NTMFS0D7N03CGT1G
Numer produktu DigiKey	488-NTMFS0D7N03CGT1GTR-ND - Taśma i szpula (TR) 488-NTMFS0D7N03CGT1GCT-ND - Taśma cięta (CT) 488-NTMFS0D7N03CGT1GDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	onsemi
Numer produktu producenta	NTMFS0D7N03CGT1G
Opis	MOSFET N-CH 30V 59A/409A 5DFN
Standardowy czas realizacji przez producenta	30 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 30 V 59A (Ta), 409A (Tc) 4W (Ta), 187W (Tc) Montaż powierzchniowy 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	onsemi
Seria	-
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	30 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	59A (Ta), 409A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	0,65mOhm przy 30A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	2,2V przy 280µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	147 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	12300 pF @ 15 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	4W (Ta), 187W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 175°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Obudowa / skrzynia	8-PowerTDFN, 5 przewodów
Bazowy numer produktu	NTMFS0