Name: NTMFS015N10MCLT1G
Brand: onsemi
SKU: 488-NTMFS015N10MCLT1GTR-ND
Price: 9.0897 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

NTMFS015N10MCLT1G
Numer produktu DigiKey	488-NTMFS015N10MCLT1GTR-ND - Taśma i szpula (TR) 488-NTMFS015N10MCLT1GCT-ND - Taśma cięta (CT) 488-NTMFS015N10MCLT1GDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	onsemi
Numer produktu producenta	NTMFS015N10MCLT1G
Opis	MOSFET N-CH 100V 10.5A/54A 5DFN
Standardowy czas realizacji przez producenta	21 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 100 V 10.5A (Ta), 54A (Tc) 3W (Ta), 79W (Tc) Montaż powierzchniowy 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	onsemi
Seria	-
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	100 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	10.5A (Ta), 54A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	4,5V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	12.2mOhm przy 14A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	2.2V przy 282µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	19 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	13380 pF @ 50 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	3W (Ta), 79W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 175°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Obudowa / skrzynia	8-PowerTDFN, 5 przewodów
Bazowy numer produktu	NTMFS015