Name: NTLJS4114NT1G
Brand: onsemi
SKU: NTLJS4114NT1GOSTR-ND
Price: 6.4452 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

NTLJS4114NT1G
Numer produktu DigiKey	NTLJS4114NT1GOSTR-ND - Taśma i szpula (TR) NTLJS4114NT1GOSCT-ND - Taśma cięta (CT) NTLJS4114NT1GOSDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	onsemi
Numer produktu producenta	NTLJS4114NT1G
Opis	MOSFET N-CH 30V 3.6A 6WDFN
Standardowy czas realizacji przez producenta	18 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 30 V 3,6A (Ta) 700mW (Ta) Montaż powierzchniowy 6-WDFN (2x2)
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Vgs(th) (maks.) przy Id 1V przy 250µA
Prod. onsemi	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 13 nC @ 4.5 V
Seria µCool™	Vgs (maks.) ±12V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 650 pF @ 15 V
Status części Aktywny	Straty mocy (maks.) 700mW (Ta)
Typ FET Kanał N	Temperatura robocza -55°C - 150°C (TJ)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Napięcie dren-źródło (Vdss) 30 V	Obudowa dostawcy urządzenia 6-WDFN (2x2)
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 3,6A (Ta)	Obudowa / skrzynia 6-WDFN podkładka odsłonięta
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 1,8V, 4,5V	Bazowy numer produktu NTLJS4114
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 35mOhm przy 2A, 4,5V