NTHL1000N170M1 onsemi | Półprzewodniki dyskretne

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

NTHL1000N170M1
Numer produktu DigiKey	5556-NTHL1000N170M1-ND
Producent	onsemi
Numer produktu producenta	NTHL1000N170M1
Opis	SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET EL
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 1700 V 4,2A (Tc) 48W Otwór przelotowy TO-247-3
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	onsemi
Seria	-
Opakowanie	Rurka
Status części	Nieaktualne
Typ FET	Kanał N
Technologia	SiCFET (węglik krzemu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	1700 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	4,2A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	20V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	1,43Ohm przy 2A, 20V
Vgs(th) (maks.) przy Id	4,3V przy 640µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	14 nC @ 20 V
Vgs (maks.)	+25V, -15V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	150 pF @ 1000 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	48W
Temperatura robocza	-55°C - 175°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Otwór przelotowy
Obudowa dostawcy urządzenia	TO-247-3
Obudowa / skrzynia	TO-247-3