Kanał N 1200 V 68A (Tc) 352W (Tc) Otwór przelotowy TO-247-3
Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.
Kanał N 1200 V 68A (Tc) 352W (Tc) Otwór przelotowy TO-247-3
TO-247-3

NTHL022N120M3S

Numer produktu DigiKey
5556-NTHL022N120M3S-ND
Producent
onsemi
Numer produktu producenta
NTHL022N120M3S
Opis
SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET ELI
Standardowy czas realizacji przez producenta
21 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis
Kanał N 1200 V 68A (Tc) 352W (Tc) Otwór przelotowy TO-247-3
Arkusz danych
 Arkusz danych
Atrybuty produktu
Typ
Opis
Wybierz wszystko
Kategoria
Prod.
onsemi
Seria
-
Opakowanie
Rurka
Status części
Aktywny
Typ FET
Kanał N
Technologia
SiCFET (węglik krzemu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
1200 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C
68A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)
18V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs
30mOhm przy 40A, 18V
Vgs(th) (maks.) przy Id
4,4V przy 20mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs
139 nC @ 18 V
Vgs (maks.)
+22V, -10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds
3130 pF @ 800 V
Charakterystyka FET
-
Straty mocy (maks.)
352W (Tc)
Temperatura robocza
-55°C - 175°C (TJ)
Klasa
-
Kwalifikacja
-
Typ mocowania
Otwór przelotowy
Obudowa dostawcy urządzenia
TO-247-3
Obudowa / skrzynia
TO-247-3
Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów

Zobacz, o co pytają inżynierowie, zadawaj własne pytania lub pomagaj innym członkom społeczności inżynierów DigiKey

W magazynie: 476
Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu
Ilość
Wszystkie ceny podano w PLN
Rurka
Ilość Cena jednostkowa Wartość
168,89000 zł68,89 zł
1049,22800 zł492,28 zł
45038,52691 zł17 337,11 zł
Opakowanie standardowe producenta
Uwaga: W przypadku zakupu produktu w ilości niższej od opakowania standardowego, rodzaj opakowania może ulec zmianie ze względu na usługi o wartości dodanej świadczone przez DigiKey.
Cena jednostkowa bez VAT:68,89000 zł
Cena jednostkowa z VAT:84,73470 zł