NTHD5904NT1G onsemi | Półprzewodniki dyskretne

NTHD5904NT1G jest przestarzałe i nie jest już produkowane.

Dostępne zamienniki:

Similar

Nexperia USA Inc.

W magazynie: 0

Cena jednostkowa : 2,49000 zł

Similar

Nexperia USA Inc.

W magazynie: 32 745

Cena jednostkowa : 2,05000 zł

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

NTHD5904NT1G
Numer produktu DigiKey	NTHD5904NT1GOSTR-ND - Taśma i szpula (TR)
Producent	onsemi
Numer produktu producenta	NTHD5904NT1G
Opis	MOSFET N-CH 20V 2.5A CHIPFET
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 20 V 2,5A (Ta) 640mW (Ta) Montaż powierzchniowy ChipFET™
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	onsemi
Seria	-
Opakowanie	Taśma i szpula (TR)
Status części	Nieaktualne
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	20 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	2,5A (Ta)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	2,5V, 4,5V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	65mOhm przy 3,3A, 4,5V
Vgs(th) (maks.) przy Id	1,2V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	6 nC @ 4.5 V
Vgs (maks.)	±8V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	465 pF @ 16 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	640mW (Ta)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	ChipFET™
Obudowa / skrzynia	8-SMD, odprowadzenia płaskie
Bazowy numer produktu	NTHD59