Name: NTH4L030N120M3S
Brand: onsemi
SKU: 5556-NTH4L030N120M3S-ND
Price: 59.8272 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

NTH4L030N120M3S
Numer produktu DigiKey	5556-NTH4L030N120M3S-ND
Producent	onsemi
Numer produktu producenta	NTH4L030N120M3S
Opis	SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET EL
Standardowy czas realizacji przez producenta	18 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 1200 V 73A (Tc) 313W (Tc) Otwór przelotowy TO-247-4L
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	onsemi
Seria	-
Opakowanie	Rurka
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	SiCFET (węglik krzemu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	1200 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	73A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	18V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	39mOhm przy 30A, 18V
Vgs(th) (maks.) przy Id	4,4V przy 15mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	107 nC @ 18 V
Vgs (maks.)	+22V, -10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	2430 pF @ 800 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	313W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 175°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Otwór przelotowy
Obudowa dostawcy urządzenia	TO-247-4L
Obudowa / skrzynia	TO-247-4

Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów

Zobacz, o co pytają inżynierowie, zadawaj własne pytania lub pomagaj innym członkom społeczności inżynierów DigiKey

W magazynie: 265

Zapas fabryczny: 350 550

Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu

Ilość

Wszystkie ceny podano w PLN

Rurka

Ilość	Cena jednostkowa	Wartość
1	48,64000 zł	48,64 zł
30	29,49100 zł	884,73 zł
120	25,29392 zł	3 035,27 zł
510	24,42275 zł	12 455,60 zł

Opakowanie standardowe producenta

Uwaga: W przypadku zakupu produktu w ilości niższej od opakowania standardowego, rodzaj opakowania może ulec zmianie ze względu na usługi o wartości dodanej świadczone przez DigiKey.