Name: NTBLS4D0N15MC
Brand: onsemi
SKU: 488-NTBLS4D0N15MCTR-ND
Price: 32.1399 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

NTBLS4D0N15MC
Numer produktu DigiKey	488-NTBLS4D0N15MCTR-ND - Taśma i szpula (TR) 488-NTBLS4D0N15MCCT-ND - Taśma cięta (CT) 488-NTBLS4D0N15MCDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	onsemi
Numer produktu producenta	NTBLS4D0N15MC
Opis	MOSFET N-CH 150V 19A/187A 8HPSOF
Standardowy czas realizacji przez producenta	28 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 150 V 19A (Ta), 187A (Tc) 3,4W (Ta), 316W (Tc) Montaż powierzchniowy 8-HPSOF
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	onsemi
Seria	-
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	150 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	19A (Ta), 187A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	8V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	4,4mOhm przy 80A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	4,5V przy 584µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	90.4 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	7490 pF @ 75 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	3,4W (Ta), 316W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 175°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	8-HPSOF
Obudowa / skrzynia	8-PowerSFN
Bazowy numer produktu	NTBLS4