Name: NTBG080N120SC1
Brand: onsemi
SKU: 5556-NTBG080N120SC1TR-ND
Price: 59.655 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

NTBG080N120SC1
Numer produktu DigiKey	5556-NTBG080N120SC1TR-ND - Taśma i szpula (TR) 5556-NTBG080N120SC1CT-ND - Taśma cięta (CT) 5556-NTBG080N120SC1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	onsemi
Numer produktu producenta	NTBG080N120SC1
Opis	SICFET N-CH 1200V 30A D2PAK-7
Standardowy czas realizacji przez producenta	15 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 1200 V 30A (Tc) 179W (Tc) Montaż powierzchniowy D2PAK-7
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	onsemi
Seria	-
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	SiCFET (węglik krzemu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	1200 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	30A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	20V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	110mOhm przy 20A, 20V
Vgs(th) (maks.) przy Id	4,3V przy 5mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	56 nC @ 20 V
Vgs (maks.)	+25, -15V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	1154 pF @ 800 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	179W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 175°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	D2PAK-7
Obudowa / skrzynia	TO-263-8, D2PAK (7 odpr. + wypust), TO-263CA
Bazowy numer produktu	NTBG080