Name: NTBG023N065M3S
Brand: onsemi
SKU: 5556-NTBG023N065M3STR-ND
Price: 54.0216 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

NTBG023N065M3S
Numer produktu DigiKey	5556-NTBG023N065M3STR-ND - Taśma i szpula (TR) 5556-NTBG023N065M3SCT-ND - Taśma cięta (CT) 5556-NTBG023N065M3SDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	onsemi
Numer produktu producenta	NTBG023N065M3S
Opis	SIC MOS D2PAK-7L 23MOHM 650V M3S
Standardowy czas realizacji przez producenta	23 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 650 V 40A (Tc) 263W (Tc) Montaż powierzchniowy D2PAK-7
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Vgs(th) (maks.) przy Id 4V przy 10mA
Prod. onsemi	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 69 nC @ 18 V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Vgs (maks.) +22V, -8V
Status części Aktywny	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 1951 pF @ 400 V
Typ FET Kanał N	Straty mocy (maks.) 263W (Tc)
Technologia SiCFET (węglik krzemu)	Temperatura robocza -55°C - 175°C (TJ)
Napięcie dren-źródło (Vdss) 650 V	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 40A (Tc)	Obudowa dostawcy urządzenia D2PAK-7
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 15V, 18V	Obudowa / skrzynia TO-263-8, D2PAK (7 odpr. + wypust), TO-263CA
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 33mOhm przy 20A, 18V	Bazowy numer produktu NTBG023