Name: NTBG020N090SC1
Brand: onsemi
SKU: 5556-NTBG020N090SC1TR-ND
Price: 128.2152 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

NTBG020N090SC1
Numer produktu DigiKey	5556-NTBG020N090SC1TR-ND - Taśma i szpula (TR) 5556-NTBG020N090SC1CT-ND - Taśma cięta (CT) 5556-NTBG020N090SC1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	onsemi
Numer produktu producenta	NTBG020N090SC1
Opis	SICFET N-CH 900V 9.8A/112A D2PAK
Standardowy czas realizacji przez producenta	17 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 900 V 9,8A (Ta), 112A (Tc) 3,7W (Ta), 477W (Tc) Montaż powierzchniowy D2PAK-7
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	NTBG020N090SC1 Modele

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	onsemi
Seria	-
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	SiCFET (węglik krzemu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	900 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	9,8A (Ta), 112A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	15V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	28mOhm przy 60A, 15V
Vgs(th) (maks.) przy Id	4,3V przy 20mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	200 nC @ 15 V
Vgs (maks.)	+19V, -10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	4415 pF @ 450 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	3,7W (Ta), 477W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 175°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	D2PAK-7
Obudowa / skrzynia	TO-263-8, D2PAK (7 odpr. + wypust), TO-263CA
Bazowy numer produktu	NTBG020