NSBA123JF3T5G onsemi | Półprzewodniki dyskretne

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

NSBA123JF3T5G
Numer produktu DigiKey	NSBA123JF3T5G-ND - Taśma i szpula (TR)
Producent	onsemi
Numer produktu producenta	NSBA123JF3T5G
Opis	TRANS PREBIAS PNP 50V SOT1123
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Tranzystory - bipolarne (BJT) - pojedyncze pre-biased PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 254 mW Montaż powierzchniowy SOT-1123
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	NSBA123JF3T5G Modele

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Bipolarne (BJT) Tranzystory bipolarne spolaryzowane, pojedyncze
Producent	onsemi
Seria	-
Opakowanie	Taśma i szpula (TR)
Status części	Nieaktualne
Typ tranzystora	PNP - Pre-Biased
Prąd - kolektora (Ic) (maks.)	100 mA
Napięcie - przebicia kolektor-emiter (maks.)	50 V
Rezystory w zestawie	R1 oraz R2
Rezystor - bazy (R1)	2.2 kOhms
Rezystor - emitera (R2)	47 kOhms
Wzmocnienie stałoprądowe (hFE) (min.) @ Ic, Vce	80 przy 5mA, 10V
Nasycenie Vce (maks.) przy Ib, Ic	250mV przy 300µA, 10mA
Prąd - graniczny kolektora (maks.)	500nA
Moc - maks.	254 mW
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa / skrzynia	SOT-1123
Obudowa dostawcy urządzenia	SOT-1123
Bazowy numer produktu	NSBA123