NGTB40N120S3WG onsemi | Półprzewodniki dyskretne

NGTB40N120S3WG jest przestarzałe i nie jest już produkowane.

Dostępne zamienniki:

Bezpośrednie

onsemi

W magazynie: 1 776

Cena jednostkowa : 24,30000 zł

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

NGTB40N120S3WG
Numer produktu DigiKey	NGTB40N120S3WGOS-ND
Producent	onsemi
Numer produktu producenta	NGTB40N120S3WG
Opis	IGBT TRENCH FS 1200V 160A TO-247
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	IGBT Ogranicznik pola wykopu 1200 V 160 A 454 W Otwór przelotowy TO-247-3
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	NGTB40N120S3WG Modele

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory IGBT Tranzystory IGBT pojedyncze
Producent	onsemi
Seria	-
Opakowanie	Rurka
Status części	Nieaktualne
Typ IGBT	Ogranicznik pola wykopu
Napięcie - przebicia kolektor-emiter (maks.)	1200 V
Prąd - kolektora (Ic) (maks.)	160 A
Prąd - impulsowy kolektora (Icm)	160 A
Vce (wł.) (maks.) przy Vge, Ic	1,95V przy 15V, 40A
Moc - maks.	454 W
Energia przełączania	2,2mJ (wł.), 1,1mJ (wył.)
Typ wejścia	Standard
Ładunek bramki	212 nC
Td (wł./wył.) przy 25°C	12ns/145ns
Warunki probiercze	600V, 40A, 10Ohm, 15V
Czas regeneracji wstecznej (trr)	163 ns
Temperatura robocza	-55°C - 175°C (TJ)
Typ mocowania	Otwór przelotowy
Obudowa / skrzynia	TO-247-3
Obudowa dostawcy urządzenia	TO-247-3
Bazowy numer produktu	NGTB40