Name: MUN5311DW1T2G
Brand: onsemi
SKU: MUN5311DW1T2GOSTR-ND
Price: 1.0824 PLN
Availability: InStock

cms-photo-disclaimer

MUN5311DW1T2G
cms-digikey-product-number	MUN5311DW1T2GOSTR-ND - Taśma i szpula (TR) MUN5311DW1T2GOSCT-ND - Taśma cięta (CT) MUN5311DW1T2GOSDKR-ND - Digi-Reel®
cms-manufacturer	onsemi
cms-manufacturer-product-number	MUN5311DW1T2G
cms-description	TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-363
cms-standard-lead-time	18 tygodnie
cms-customer-reference
cms-detailed-description	Tranzystory - bipolarne (BJT) - układy pre-biased 1 NPN, 1 PNP wstępnie spolaryzowany (podwójny) 50V 100mA 250mW Montaż powierzchniowy SC-88/SC70-6/SOT-363
Arkusz danych	Arkusz danych
cms-eda-cad-models	MUN5311DW1T2G Modele

cms-product-attributes

cms-type	cms-description	cms-select-all
cms-category	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Bipolarne (BJT) Układy tranzystorów bipolarnych, wstępnie spolaryzowane
Producent	onsemi
Seria	-
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ tranzystora	1 NPN, 1 PNP wstępnie spolaryzowany (podwójny)
Prąd - kolektora (Ic) (maks.)	100mA
Napięcie - przebicia kolektor-emiter (maks.)	50V
Rezystor - bazy (R1)	10kOhm
Rezystor - emitera (R2)	10kOhm
Wzmocnienie stałoprądowe (hFE) (min.) @ Ic, Vce	35 przy 5mA, 10V
Nasycenie Vce (maks.) przy Ib, Ic	250mV przy 300µA, 10mA
Prąd - graniczny kolektora (maks.)	500nA
Częstotliwość - przejścia	-
Moc - maks.	250mW
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa / skrzynia	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Obudowa dostawcy urządzenia	SC-88/SC70-6/SOT-363
Bazowy numer produktu	MUN5311

cms-product-q-and-a

cms-techforum-default-desc

W magazynie: 12 422

Zapas fabryczny: 63 000

cms-incoming-leadtime-link

cms-quantity

cms-all-prices-in-currency

Taśma cięta (CT) & Digi-Reel®

* Do wszystkich zamówień Digi-Reel dodawana jest opłata 27,00 zł za przygotowanie szpuli.

Taśma i szpula (TR)