Kanał N 100 V 33A (Tc) 120W (Tc) Montaż powierzchniowy TO-263 (D2PAK)
Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.
Kanał N 100 V 33A (Tc) 120W (Tc) Montaż powierzchniowy TO-263 (D2PAK)
TO-263

HUF75631S3ST

Numer produktu DigiKey
488-HUF75631S3STTR-ND - Taśma i szpula (TR)
488-HUF75631S3STCT-ND - Taśma cięta (CT)
488-HUF75631S3STDKR-ND - Digi-Reel®
Producent
onsemi
Numer produktu producenta
HUF75631S3ST
Opis
MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis
Kanał N 100 V 33A (Tc) 120W (Tc) Montaż powierzchniowy TO-263 (D2PAK)
Arkusz danych
 Arkusz danych
Atrybuty produktu
Typ
Opis
Wybierz wszystko
Kategoria
Prod.
onsemi
Seria
-
Opakowanie
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Status części
Nieaktualne
Typ FET
Kanał N
Technologia
MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
100 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C
33A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)
10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs
40mOhm przy 33A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id
4V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs
79 nC @ 20 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds
1220 pF @ 25 V
Charakterystyka FET
-
Straty mocy (maks.)
120W (Tc)
Temperatura robocza
-55°C - 175°C (TJ)
Klasa
-
Kwalifikacja
-
Typ mocowania
Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia
TO-263 (D2PAK)
Obudowa / skrzynia
TO-263-3, D2PAK (2 odpr. + wypust), TO-263AB
Bazowy numer produktu
HUF75
Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów

Zobacz, o co pytają inżynierowie, zadawaj własne pytania lub pomagaj innym członkom społeczności inżynierów DigiKey

W magazynie: 32
Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu
Ten produkt nie jest już produkowany, a jego zapasy nie będą uzupełniane po wyczerpaniu. Wyświetl Zamienniki.
Ilość
Wszystkie ceny podano w PLN
Taśma cięta (CT)
Ilość Cena jednostkowa Wartość
117,81000 zł17,81 zł
1011,83900 zł118,39 zł
Cena jednostkowa bez VAT:17,81000 zł
Cena jednostkowa z VAT:21,90630 zł