Name: HGTD1N120BNS9A
Brand: onsemi
SKU: HGTD1N120BNS9ATR-ND
Price: 10.1106 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

HGTD1N120BNS9A
Numer produktu DigiKey	HGTD1N120BNS9ATR-ND - Taśma i szpula (TR) HGTD1N120BNS9ACT-ND - Taśma cięta (CT) HGTD1N120BNS9ADKR-ND - Digi-Reel®
Producent	onsemi
Numer produktu producenta	HGTD1N120BNS9A
Opis	IGBT NPT 1200V 5.3A TO-252AA
Standardowy czas realizacji przez producenta	12 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	IGBT NPT 1200 V 5.3 A 60 W Montaż powierzchniowy TO-252AA
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	HGTD1N120BNS9A Modele

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory IGBT Tranzystory IGBT pojedyncze	Energia przełączania 70µJ (wł.), 90µJ (wył.)
Producent onsemi	Typ wejścia Standard
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Ładunek bramki 14 nC
Status części Aktywny	Td (wł./wył.) przy 25°C 15ns/67ns
Typ IGBT NPT	Warunki probiercze 960V, 1A, 82Ohm, 15V
Napięcie - przebicia kolektor-emiter (maks.) 1200 V	Temperatura robocza -55°C - 150°C (TJ)
Prąd - kolektora (Ic) (maks.) 5.3 A	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Prąd - impulsowy kolektora (Icm) 6 A	Obudowa / skrzynia TO-252-3, DPAK (2 odpr. + wypust), SC-63
Vce (wł.) (maks.) przy Vge, Ic 2,9V przy 15V, 1A	Obudowa dostawcy urządzenia TO-252AA
Moc - maks. 60 W	Bazowy numer produktu HGTD1N120