Name: FQT1N80TF-WS
Brand: onsemi
SKU: FQT1N80TF-WSTR-ND
Price: 6.888 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

FQT1N80TF-WS
Numer produktu DigiKey	FQT1N80TF-WSTR-ND - Taśma i szpula (TR) FQT1N80TF-WSCT-ND - Taśma cięta (CT) FQT1N80TF-WSDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	onsemi
Numer produktu producenta	FQT1N80TF-WS
Opis	MOSFET N-CH 800V 200MA SOT223-3
Standardowy czas realizacji przez producenta	8 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 800 V 200mA (Tc) 2,1W (Tc) Montaż powierzchniowy SOT-223-3
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	FQT1N80TF-WS Modele

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	onsemi
Seria	QFET®
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	800 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	200mA (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	20Ohm przy 100mA, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	5V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	7.2 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±30V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	195 pF @ 25 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	2,1W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	SOT-223-3
Obudowa / skrzynia	TO-261-3
Bazowy numer produktu	FQT1N80