FQPF11N40CT jest przestarzałe i nie jest już produkowane.
Dostępne zamienniki:

Similar

IPA50R500CEXKSA2
Infineon Technologies
W magazynie: 520
Cena jednostkowa : 5,39000 zł
Arkusz danych

Similar

STF11NM50N
STMicroelectronics
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 4,87178 zł
Arkusz danych

Similar

STP11NK40ZFP
STMicroelectronics
W magazynie: 862
Cena jednostkowa : 11,56000 zł
Arkusz danych

Similar

TK12A45D(STA4,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 10,56000 zł
Arkusz danych
Wyświetl i porównaj wszystkie zamienniki
Kanał N 400 V 10,5A (Tc) 44W (Tc) Otwór przelotowy TO-220F-3
Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

FQPF11N40CT

Numer produktu DigiKey
FQPF11N40CT-ND
Producent
onsemi
Numer produktu producenta
FQPF11N40CT
Opis
MOSFET N-CH 400V 10.5A TO220F
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis
Kanał N 400 V 10,5A (Tc) 44W (Tc) Otwór przelotowy TO-220F-3
Modele EDA/CAD
FQPF11N40CT Modele
Atrybuty produktu
Typ
Opis
Wybierz wszystko
Kategoria
Prod.
onsemi
Seria
QFET®
Opakowanie
Rurka
Status części
Nieaktualne
Typ FET
Kanał N
Technologia
MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
400 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C
10,5A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)
10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs
530mOhm przy 5,25A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id
4V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±30V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds
1090 pF @ 25 V
Charakterystyka FET
-
Straty mocy (maks.)
44W (Tc)
Temperatura robocza
-55°C - 150°C (TJ)
Klasa
-
Kwalifikacja
-
Typ mocowania
Otwór przelotowy
Obudowa dostawcy urządzenia
TO-220F-3
Obudowa / skrzynia
TO-220-3, pełny pakiet
Bazowy numer produktu
FQPF1
Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów

Zobacz, o co pytają inżynierowie, zadawaj własne pytania lub pomagaj innym członkom społeczności inżynierów DigiKey

Przestarzałe
Ten produkt nie jest już produkowany. Wyświetl Zamienniki.
Bez możliwości anulowania i zwrotu