Kanał N 900 V 9A (Tc) 280W (Tc) Otwór przelotowy TO-3P
Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

FQA9N90C-F109

Numer produktu DigiKey
FQA9N90C-F109-ND
Producent
onsemi
Numer produktu producenta
FQA9N90C-F109
Opis
MOSFET N-CH 900V 9A TO3P
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis
Kanał N 900 V 9A (Tc) 280W (Tc) Otwór przelotowy TO-3P
Arkusz danych
 Arkusz danych
Modele EDA/CAD
FQA9N90C-F109 Modele
Atrybuty produktu
Typ
Opis
Wybierz wszystko
Kategoria
Prod.
onsemi
Seria
QFET®
Opakowanie
Rurka
Status części
Nieaktualne
Typ FET
Kanał N
Technologia
MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
900 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C
9A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)
10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs
1,4Ohm przy 4,5A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id
5V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs
58 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±30V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds
2730 pF @ 25 V
Charakterystyka FET
-
Straty mocy (maks.)
280W (Tc)
Temperatura robocza
-55°C - 150°C (TJ)
Klasa
-
Kwalifikacja
-
Typ mocowania
Otwór przelotowy
Obudowa dostawcy urządzenia
TO-3P
Obudowa / skrzynia
TO-3P-3, SC-65-3
Bazowy numer produktu
FQA9
Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów

Zobacz, o co pytają inżynierowie, zadawaj własne pytania lub pomagaj innym członkom społeczności inżynierów DigiKey

Przestarzałe
Ten produkt nie jest już produkowany. Wyświetl Rodzaje opakowań alternatywnych.