FGY75T95SQDT onsemi | Półprzewodniki dyskretne

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

FGY75T95SQDT
Numer produktu DigiKey	FGY75T95SQDTOS-ND
Producent	onsemi
Numer produktu producenta	FGY75T95SQDT
Opis	IGBT TRENCH FS 950V 150A TO-247
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	IGBT Ogranicznik pola wykopu 950 V 150 A 434 W Otwór przelotowy TO-247-3
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory IGBT Tranzystory IGBT pojedyncze
Producent	onsemi
Seria	-
Opakowanie	Rurka
Status części	Nieaktualne
Typ IGBT	Ogranicznik pola wykopu
Napięcie - przebicia kolektor-emiter (maks.)	950 V
Prąd - kolektora (Ic) (maks.)	150 A
Prąd - impulsowy kolektora (Icm)	300 A
Vce (wł.) (maks.) przy Vge, Ic	2.11V przy 15V, 75A
Moc - maks.	434 W
Energia przełączania	8,8mJ (wł.), 3,2mJ (wył.)
Typ wejścia	Standard
Ładunek bramki	137 nC
Td (wł./wył.) przy 25°C	28.8ns/117ns
Warunki probiercze	600V, 75A, 4,7Ohm, 15V
Czas regeneracji wstecznej (trr)	259 ns
Temperatura robocza	-55°C - 175°C (TJ)
Typ mocowania	Otwór przelotowy
Obudowa / skrzynia	TO-247-3
Obudowa dostawcy urządzenia	TO-247-3
Bazowy numer produktu	FGY75