FGA5065ADF onsemi | Półprzewodniki dyskretne

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

FGA5065ADF
Numer produktu DigiKey	FGA5065ADF-ND
Producent	onsemi
Numer produktu producenta	FGA5065ADF
Opis	IGBT TRENCH FS 650V 100A TO-3PN
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	IGBT Ogranicznik pola wykopu 650 V 100 A 268 W Otwór przelotowy TO-3PN
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory IGBT Tranzystory IGBT pojedyncze
Producent	onsemi
Seria	-
Opakowanie	Rurka
Status części	Nieaktualne
Typ IGBT	Ogranicznik pola wykopu
Napięcie - przebicia kolektor-emiter (maks.)	650 V
Prąd - kolektora (Ic) (maks.)	100 A
Prąd - impulsowy kolektora (Icm)	150 A
Vce (wł.) (maks.) przy Vge, Ic	2,2V przy 15V, 50A
Moc - maks.	268 W
Energia przełączania	1,35mJ (wł.), 309µJ (wył.)
Typ wejścia	Standard
Ładunek bramki	72.2 nC
Td (wł./wył.) przy 25°C	20,8ns/62,4ns
Warunki probiercze	400V, 50A, 6Ohm, 15V
Czas regeneracji wstecznej (trr)	31.8 ns
Temperatura robocza	-55°C - 175°C (TJ)
Typ mocowania	Otwór przelotowy
Obudowa / skrzynia	TO-3P-3, SC-65-3
Obudowa dostawcy urządzenia	TO-3PN
Bazowy numer produktu	FGA5065