FGA30N120FTDTU onsemi | Półprzewodniki dyskretne

FGA30N120FTDTU jest przestarzałe i nie jest już produkowane.

Dostępne zamienniki:

Similar

IXYS

W magazynie: 0

Cena jednostkowa : 43,65967 zł

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

FGA30N120FTDTU
Numer produktu DigiKey	FGA30N120FTDTU-ND
Producent	onsemi
Numer produktu producenta	FGA30N120FTDTU
Opis	IGBT TRENCH FS 1200V 60A TO-3PN
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	IGBT Ogranicznik pola wykopu 1200 V 60 A 339 W Otwór przelotowy TO-3PN
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory IGBT Tranzystory IGBT pojedyncze
Producent	onsemi
Seria	-
Opakowanie	Rurka
Status części	Nieaktualne
Typ IGBT	Ogranicznik pola wykopu
Napięcie - przebicia kolektor-emiter (maks.)	1200 V
Prąd - kolektora (Ic) (maks.)	60 A
Prąd - impulsowy kolektora (Icm)	90 A
Vce (wł.) (maks.) przy Vge, Ic	2V przy 15V, 30A
Moc - maks.	339 W
Energia przełączania	-
Typ wejścia	Standard
Ładunek bramki	208 nC
Td (wł./wył.) przy 25°C	-
Warunki probiercze	-
Czas regeneracji wstecznej (trr)	730 ns
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Typ mocowania	Otwór przelotowy
Obudowa / skrzynia	TO-3P-3, SC-65-3
Obudowa dostawcy urządzenia	TO-3PN
Bazowy numer produktu	FGA30N120