FDS6676AS onsemi | Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze

FDS6676AS
Numer produktu DigiKey	FDS6676ASTR-ND - Taśma i szpula (TR)
Producent	onsemi
Numer produktu producenta	FDS6676AS
Opis	MOSFET N-CH 30V 14.5A 8SOIC
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 30 V 14,5A (Ta) 2,5W (Ta) Montaż powierzchniowy 8-SOIC
Arkusz danych	Arkusz danych

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	onsemi
Seria	PowerTrench®, SyncFET™
Opakowanie	Taśma i szpula (TR)
Status części	Nieaktualne
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	30 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	14,5A (Ta)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	4,5V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	6mOhm przy 14,5A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	3V przy 1mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	63 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	2510 pF @ 15 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	2,5W (Ta)
Temperatura robocza	-55°C - 155°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	8-SOIC
Obudowa / skrzynia	8-SOIC (szerokość 0,154", 3,90mm)
Bazowy numer produktu	FDS66

FDS6676AS